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产品简介:
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MT29F2G08ABBEAH4:E TR 是由 Micron Technology Inc. 生产的一款 NAND 闪存存储器。以下是该型号的应用场景: 1. 嵌入式系统 该型号的 NAND 闪存常用于嵌入式系统中,如工业控制设备、智能家居设备、汽车电子等。它提供了可靠的存储解决方案,能够存储操作系统、应用程序和用户数据,确保系统在断电后仍能保持数据完整性。 2. 消费电子产品 MT29F2G08ABBEAH4:E TR 广泛应用于消费电子产品中,例如智能手机、平板电脑、数码相机等。它为这些设备提供大容量的存储空间,支持快速读写操作,提升用户体验。此外,它还可以用于固态硬盘(SSD)中,作为主控芯片与 NAND 颗粒之间的桥梁,提高数据传输速度和稳定性。 3. 通信设备 在通信领域,该型号的 NAND 闪存可以用于基站、路由器、交换机等网络设备中,存储配置文件、固件和日志信息。其高可靠性和长寿命特性使其能够在恶劣环境下稳定工作,确保通信系统的正常运行。 4. 医疗设备 在医疗设备中,MT29F2G08ABBEAH4:E TR 可以用于存储患者数据、诊断结果和治疗方案等重要信息。它的低功耗设计有助于延长电池寿命,同时其高可靠性确保了医疗数据的安全性和准确性。 5. 物联网(IoT) 随着物联网的发展,该型号的 NAND 闪存也广泛应用于各种 IoT 设备中,如智能传感器、可穿戴设备等。它能够高效地存储传感器采集的数据,并通过无线网络传输给云端服务器进行分析处理。 总之,MT29F2G08ABBEAH4:E TR 凭借其高性能、低功耗和高可靠性,在多个领域中发挥着重要作用,满足了不同应用场景对存储的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 2GBIT 63VFBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT29F2G08ABBEAH4:E TR |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 63-VFBGA(9x11) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 2G(256M x 8) |
| 封装/外壳 | 63-VFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 速度 | - |